Elipsómetro FTIR de IR-VASE

de Woollam Co.

El IR-VASE es el primer y único elipsómetro espectroscópico que abarca todo el rango espectral desde 1,7 a 30 micras (de 333 a 5900 números de onda). El IR-VASE puede determinar tanto el n, como el k, para materiales en el ancho completo del rango espectral sin extrapolar información fuera del rango de medición, como con un análisis Kramers-Kronig. Como otros elipsómetros Woollam, el IR-VASE es perfecto para películas finas o materiales volúmicos, incluyendo dieléctricos, semiconductores, polímeros y metales.

Features
Elipsómetros de compensador rotante
El rango espectral más amplio
Montaje vertical de la muestra
Combinación de elipsometría y transmitancia

Caracterización no destructiva

El IR-VASE ofrece mediciones sin contacto de muchas diferentes propiedades de los materiales incluyendo el grosor, las constantes ópticas, la composición del material, el enlace químico, la concentración del dopaje, entre otros. Las mediciones no requieren vacío y pueden ser usadas para estudiar los interfaces líquidos/sólidos más comunes en aplicaciones de biología y química.

No se requiere línea de base, ni referencia de la muestra

La elipsometría es una técnica de modulación que no requiere escáner, ni muestras de referencia para garantizar la exactitud. Pueden pedirse muestras menores que el diámetro de haz, dado que no tiene que ser recogido el haz completo.

Medición de alta precisión

Los procedimientos de calibración y de adquisición de datos patentados eliminan los efectos de los elementos ópticos imperfectos para proporcionar mediciones precisas de Ψ y Δ.

  • Rango del espectro: De 1.7 µm a 30 µm (y más allá en caso de muestras con buen reflexión)
  • Montaje vertical de la muestra
  • Ángulo motorizado de incidencia del goniómetro: De 32°a 90°
  • Elipsometría, transmitancia y reflectancia, matriz de Mueller, elipsometría generalizada depolarización



Capas epitaxiales y concentración de dopaje y perfiles de dopaje

Para las longitudes de onda infrarrojas, la diferencia en los niveles de carrier libre puede producir contraste óptico entre las capas epitaxiales o implantadas. Esto proporciona a IR-VASE una excelente sensitividad al grosor de la capa epitaxial y a la concentración de dopaje del substrato. El elipsómetro también tiene una buena sensibilidad a los gradientes de portadores en los interfaces. Los perfiles del carrier se muestran casi perfectos cuando el las mediciones del IR VASE no destructivo y de SIMS destructivos se comparan.

Estructura de los fonones (semiconductores compuestos)

El amplio rango espectral del IR-VASE es importante para los estudios de absorción de fonones. Los datos a la izquierda muestran los modos de los fonones de una estructura de láser de GaN /AlGaN, que han sido modelados para determinar las relaciones de aleación, las concentraciones de dopaje y la calidad de la película.

Vibraciones de enlace molecular

Al igual que la espectroscopia FTIR estándar, la elipsometría IR se basa en la información sobre las vibraciones de los enlaces moleculares. La absorción infrarroja causada por estas vibraciones puede ser estudiada, tanto en materiales volúmicos, como en películas finas. La elipsometría IR ofrece una mayor sensitividad en comparación con la espectroscopia FTIR. También presenta la ventaja de que obtiene tanto los valores n como k en lugar de únicamente los valores de absorbancia. Las siguientes cifras muestran las constantes ópticas que se han medido para una fina película de silicio y se muestran las absorciones vibracionales.

Revestimientos ópticos
Caracterización multicapa
Follow us: twitter linkedin facebook
European offices
© LOT Quantum Design 2016